Владимир Г. Дубровский - Vladimir G. Dubrovskii - Wikipedia

Владимир Г. Дубровский
Dubrovskii.jpg
Туған(1965-10-15)15 қазан 1965 ж
АзаматтықРесей
Алма матерСанкт-Петербург мемлекеттік университеті
Ленинград мемлекеттік университеті (диплом, 1988)
БелгіліТеориялық физика және Наноқұрылымдар физикасы
Ғылыми мансап
ӨрістерКонденсацияланған зат физикасы
Жартылай өткізгіштік наноқұрылымдар мен наноқабылдағыштар
Классикалық ядролау теориясы
МекемелерСанкт-Петербург академиялық университеті
Иоффе институты
Санкт-Петербург мемлекеттік университеті
ITMO университеті

Владимир Г. Дубровский (Орыс: Владимир Германович Дубровский; 1965 ж.т.) физика зертханасының меңгерушісі наноқұрылымдар кезінде Санкт-Петербург академиялық университеті,[1] жетекші зерттеуші ғалым Иоффе институты,[2] және профессор Санкт-Петербург мемлекеттік университеті және ITMO университеті.[3]

Білім беру

Дубровский бітірді Санкт-Петербург мемлекеттік университеті, Статистикалық физика кафедрасы, 1988 ж., Дипломымен теориялық физика. 1991 жылы ол док-тан кейінгі ғылыми қызметкер болды Оксфорд университеті. Ол 1990 жылы PhD докторын және 2002 жылы конденсацияланған заттар физикасы бойынша ғылым докторы дәрежесін алды.

Физикаға қосқан үлестері

Дубровский физиканың бірнеше салаларына үлес қосты.

Жартылай өткізгіштік наноқұрылымдар мен наноқабылдағыштар

Ол жартылай өткізгіштік наноқұрылымдардың, әсіресе III-V наноқұрылымдардың өсуін модельдеуімен танымал. 2003 жылдан бастап ол осы саладағы зерттеулердің алдыңғы қатарында болды, 18 елдегі 40-тан астам топтармен (бірлескен басылымдармен) ынтымақтастық жасады. Оның негізгі бағыты кинотұрақты бақыланатын наноқұрылымдар, соның ішінде морфология, жер қыртысының фазалары және үлестірілім. 2005 жылы ол және оның авторлары GaAs наноқұбырларының алтын көмегімен бу-сұйық-қатты (VLS) өсуінің диффузия әсерін молекулалық сәуле эпитаксисімен дәлелдеді [1]. 2008-2014 жж., Келесі Фрэнк Глас [2], ол өсу параметрлері бойынша баптау [3] және катализатор материалы бойынша III-V наноқабылдағыштардың полипипизмін түсіну мен басқарудың теориялық тәсілдерін жасады [4]. Бұл таза цинкблендік құрылымы бар (радиусы 5 нм-ге дейінгі) GaAs наноқұжаттарын рекордтық деңгейге жеткізуге мүмкіндік берді [5]. Джерри Терсоффтан [6] тәуелсіз, 2013-2015 жылдары ол сызықтық емес фокустық әсерді болжады [7,8], бұл біртекті радиустары бар GaAs наноқұбырларының өздігінен ұйымдастырылған ансамбльдеріне мүмкіндік берді [8]. 2016 жылғы жұмыстар нановирлік ансамбльдердегі ұзындық статистикасын сипаттайтын жаңа өлшемді үлестірулерді ұсынды [9,10]. 2015-2016 жылдары ол үштік және төртінші сұйық қорытпаларынан үштік қатты бөлшектердің ядролық теориясын, олардың осьтік гетеро интерфейстерін қайрап [12], үштік III-V нанотоқтарды [11] композициялық басқарудың алғашқы теориясын жасады. Ол VLS-ті таңдамалы өсіру мен наноқабылдағыштардың өсуіне қатысты үлес қосты [13] және GaN нано-сымдарының кремний субстраттарындағы өздігінен ядролануы [14].

Классикалық ядролау теориясы

2009 жылы Дубровский Куни инвариантты айнымалылары тұрғысынан Фоккер-Планк типіндегі кинетикалық теңдеу сипаттаған көлемдік үлестірулердің флюктуацияланған кеңеюін (Дубровский кеңеюі) тапты [15] және спектрдің таралуы үшін қуат көрсеткіштерінің картасын ұсынды. 2D және 3D жүйелерінде. Әрі қарай жүргізілген зерттеулер кинематикалық ауытқудың аралдар мен тамшылардың олардың ядролану, өсу және Оствальдтың пісу кезеңдеріндегі мөлшерге бөлінуіне әсерін анықтады [16,17]. Ол сонымен қатар штамм тудыратын аралдардың өсу теориясында [18] және үштік VLS наноқұбырларын қалыптастыру энергиясының седла нүктесімен екілік ядролар теориясына үлес қосты.

Статистикалық өлшемді үлестіру және масштабтау қасиеттері

1996 жылы ол бір параметрлік Поля үлестіріміне дейін азайтылған мөлшерлік сызықтық тұрақтылықтары бар гетерогенді өсудің жылдамдық теңдеулерінің шексіз жиынтығының нақты шешімін жариялады [19]. Көлемді-сызықтық түсірілу жылдамдығымен өсу жүйелерін әрі қарай зерттеу екі параметрлі өзгертілген бета-үлестірімге әкелді (2015) [20], ол континуум шегінде Vicsek-Family масштабтау формасына ие болды [21]. Осы типтің таралуы қазіргі кезде жартылай өткізгіш наноқұрылымдардың, жер үсті аралдары мен биологиялық объектілердің өсу кинетикасын модельдеу үшін кеңінен қолданылады.

Наножүйелердегі өздігінен реттелетін ядролану және өсу

2004 жылдан бастап Дубровский аналық фазада шектеулі өсу түрлерімен шектелген жүйелерде өсу теорияларын жүргізді. Ол «мононуклеарлы» өсу тұжырымдамаларын жасады [22,23], нәтижесінде жеке ядролық құбылыстар жаңа туындайтын наноматериалдардың физикалық қасиеттерін алдын-ала анықтайды. Ол мөлшердің таралуы үшін әртүрлі мөлшерге тәуелді эффектілерді қолдану әдістерін жасады [8,24-26].
Бірге Фрэнк Глас, ол ядролық антибункциялаушы жүйелердегі [27] тар Пуассония мөлшерінің таралуын болжады [28] және уақытқа тәуелді емес формалары үшін аналитикалық асимптоталар шығарды.

Наноқұрылымдардағы серпімді релаксация және пластикалық деформация

Ол және авторлар тормен сәйкес келмейтін субстраттарда өсірілген наноқұрылымдардағы серпімді релаксация мен орынсыз дислокацияның жартылай аналитикалық модельдерін жасады [29] және жоғары сапалы оптикалық III-V наноқұрылымдарды кремнийлі платформамен монолитті интеграциялаудың эпитаксиалды әдістерін жасауға үлес қосты [8, 18,30].

Зерттеу стилі

Дубровский аналитикалық есептеулерді компьютерлерден артық көреді және физикалық мөлдір параметрлердің минималды саны бар қарапайым аналитикалық формада күрделі өсудің мінез-құлқының теориялық модельдерін ұсынуға тырысады.

Қазіргі ғылыми қызығушылықтар

Дубровскийдің негізгі бағыттары қазіргі кезде күрделі наноэлектрлік наногероқұрылымдарды модельдеу және қалыптау, наноөлшемдегі ядролау теориясы, қорытпалар мен қосылыстардың физикалық химиясы және аналитикалық өлшемдер бойынша таралу болып табылады. Оптоэлектрондық наногероқұрылымдарды жобалау және функционалдау бойынша экспериментологтармен жұмыс істейді.

Дәріс курстары және PhD докторанттар

Дубровский ядролау теориясы, наноқұрылымдардың эпитаксиясы және наноқабылдағыштардың өсуін модельдеу бойынша дәрістер оқиды. Ол 10 PhD докторантураға жетекшілік етті, оның екеуі Еуропалық Мари Кюридің алғашқы оқыту желілері бойынша.

Кітаптар және кітап тараулары

  • В.Г. Дубровский, Эпитаксиалды наноқұрылымдардың өсу кинетикасы, Физматлит, Мәскеу (2009) (орыс тілінде).
  • В.Г. Дубровский, Ядролық теория және наноқұрылымдардың өсуі. Спрингер, Гейдельберг - Нью-Йорк - Дордрехт - Лондон, 2014 ж.
  • В.Г. Дубровский, VLS өсу теориясы, күрделі жартылай өткізгіштер. In: A. Fontcuberta i Morral, S. A. Dayeh and C. Jagadish, редакторлар, жартылай өткізгіштер мен семиметалдар, 93-т., Берлингтон: Academic Press, 2015, 1-78 беттер.
Мақалалар

[1] Дубровский, В.Г .; Цирлин, Г. Е .; Сошников, I. П .; Тонких, А.А .; Сибирев, Н.В .; Самсоненко, Ю. Б .; Устинов, В.М. (2005-05-31). «Молекулалық сәуле эпитаксиясы кезінде GaAs нановиксерлерінің диффузиялық өсуі: теория және тәжірибе». Физикалық шолу B. Американдық физикалық қоғам (APS). 71 (20): 205325. дои:10.1103 / physrevb.71.205325. ISSN  1098-0121.
[2] Глас, Фрэнк; Харманд, Жан-Кристоф; Патриарше, Джилз (2007-10-05). «Неліктен вюрцит III-V мырыш бленді жартылай өткізгіштердің нановирлерінде пайда болады?». Физикалық шолу хаттары. Американдық физикалық қоғам (APS). 99 (14): 146101. arXiv:0706.0846. дои:10.1103 / physrevlett.99.146101. ISSN  0031-9007.
[3] Дубровский, В.Г .; Сибирев, Н.В. (2008-01-15). «Нано электр сымдарының өсу термодинамикасы және оны III-V нано сымдарының мырыш қоспасының полипизміне қолдану». Физикалық шолу B. Американдық физикалық қоғам (APS). 77 (3): 035414. дои:10.1103 / physrevb.77.035414. ISSN  1098-0121.
[4] Дубровский, В.Г .; Цирлин, Г. Е .; Сибирев, Н.В .; Джейбин, Ф .; Харманд, Дж. С .; Вернер, П. (2011-03-09). «Будың жаңа режимі iqu Сұйық − Нановирдің қатты өсуі». Нано хаттары. Американдық химиялық қоғам (ACS). 11 (3): 1247–1253. дои:10.1021 / nl104238d. ISSN  1530-6984.
[5] Гил, Эвелин; Дубровский, Владимир Г .; Авит, Джеффри; Андре, Ямина; Леру, Кристин; т.б. (2014-06-03). «GaAs Nanowires-да таза цинкбленде фазасын радиуста 5 нм-ге дейін жазыңыз». Нано хаттары. Американдық химиялық қоғам (ACS). 14 (7): 3938–3944. дои:10.1021 / nl501239h. ISSN  1530-6984.
[6] Tersoff, J. (2015-09-21). «III-V нановирлердің тұрақты өздігінен катализденетін өсуі». Нано хаттары. Американдық химиялық қоғам (ACS). 15 (10): 6609–6613. дои:10.1021 / acs.nanolett.5b02386. ISSN  1530-6984.
[7] Прианте, Г .; Амброзини, С .; Дубровский, В.Г .; Франциоси, А .; Рубини, С. (2013-08-16). «GaAs Нановирлерінің өсуін тоқтату және қалпына келтіру». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 13 (9): 3976–3984. дои:10.1021 / cg400701w. ISSN  1528-7483.
[8] Дубровский, В.Г .; Сю Т .; Альварес, А. Диас; Плисард, С.Р .; Карофф, П .; Глас, Ф .; Grandidier, B. (2015-07-22). «Га-катализденген GaAs нанотехникасының диаметрінің өзін-өзі теңестіруі». Нано хаттары. Американдық химиялық қоғам (ACS). 15 (8): 5580–5584. дои:10.1021 / acs.nanolett.5b02226. ISSN  1530-6984.
[9] Дубровский, Владимир Г .; Бердников, Юрий; Шмидтбауэр, Ян; Борг, Маттиас; Дауыл, Кристиан; Дептер, Кнут; Йоханссон, Джонас (2016-03-21). «Беткі диффузия арқылы өсетін нановирлердің ұзындыққа таралуы». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 16 (4): 2167–2172. дои:10.1021 / acs.cgd.5b01832. ISSN  1528-7483.
[10] Дубровский, V G; Сибирев, N V; Бердников, Ю; Гомеш, U P; Эрколани, Д; Заньер, V; Сорба, Л (2016-08-08). «Au-катализденетін және катализденетін InAs наноқоптарының ұзындық үлестірімдері». Нанотехнология. IOP Publishing. 27 (37): 375602. дои:10.1088/0957-4484/27/37/375602. ISSN  0957-4484.
[11] Дубровский, Владимир Г. (2015-11-19). «Үштік бу-сұйық-қатты нановирлердің құрамына толық аналитикалық сипаттама». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 15 (12): 5738–5743. дои:10.1021 / acs.cgd.5b00924. ISSN  1528-7483.
[12] Дубровский, В.Г .; Сибирев, Н.В. (2016-03-23). «III-V Nanowire гетероструктураларындағы осьтік аралыққа әсер ететін факторлар». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 16 (4): 2019–2023. дои:10.1021 / acs.cgd.5b01613. ISSN  1528-7483.
[13] Гао, Цянь; Дубровский, Владимир Г .; Карофф, Филипп; Вонг-Леун, Дженнифер; Ли, Ли; Гуо, Янан; Фу, Лан; Тан, Харк Хоу; Джагадиш, Ченнупати (2016-06-06). «InP Nanowire массивтерінің бір уақытта селективті-аумақтық және бу-сұйық-қатты өсуі». Нано хаттары. Американдық химиялық қоғам (ACS). 16 (7): 4361–4367. дои:10.1021 / acs.nanolett.6b01461. ISSN  1530-6984.
[14] Дубровский, Владимир Г .; Консонни, Винсент; Trampert, Achim; Джелхаар, Луц; Ричерт, Хеннинг (2012-04-23). «GaN наноқұралдарының өздігінен индукцияланған ядролауының масштабты термодинамикалық моделі». Физикалық шолу B. Американдық физикалық қоғам (APS). 85 (16): 165317. дои:10.1103 / physrevb.85.165317. ISSN  1098-0121.
[15] Дубровский, В.Г. (2009-10-28). «Конденсация кинетикасындағы мөлшердің үлестірілуінің флюктуацияға байланысты таралуы». Химиялық физика журналы. AIP Publishing. 131 (16): 164514. дои:10.1063/1.3254384. ISSN  0021-9606.
[16] Дубровский, В.Г .; Назаренко, М.В. (2010-03-21). «Детерминирленген шектен шыққан ядролар теориясы. I. Ядролану кезеңі». Химиялық физика журналы. AIP Publishing. 132 (11): 114507. дои:10.1063/1.3354118. ISSN  0021-9606.
[17] Дубровский, В.Г .; Казанский, М.А .; Назаренко, М.В .; Аджемян, Л.Т. (2011-03-07). «Екі өлшемді жүйелердегі Оствальдтың пісуіне сандық талдау». Химиялық физика журналы. AIP Publishing. 134 (9): 094507. дои:10.1063/1.3556658. ISSN  0021-9606.
[18] Дубровский, В.Г .; Сибирев, Н.В .; Чжан, Х .; Suris, R. A. (2010). «Үш өлшемді кристалды аралдардың күйзеліске ұшыраған ядролық бағыты: кванттық нүктелерден жалаңашқа дейін». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 10 (9): 3949–3955. дои:10.1021 / cg100495b. ISSN  1528-7483.
[19] Дубровский, В.Г. (1996). «Қайтымды өсу моделі үшін теңдеулердің нақты шешімі туралы». Теориялық және математикалық физика. «Springer Science and Business Media» жауапкершілігі шектеулі серіктестігі. 108 (2): 1110–1118. дои:10.1007 / bf02070679. ISSN  0040-5779.
[20] Дубровский, В.Г .; Сибирев, Н.В. (2015-04-29). «Арал көлемінде үлестіруге арналған аналитикалық масштабтау функциясы». Физикалық шолу E. Американдық физикалық қоғам (APS). 91 (4): 042408. дои:10.1103 / physreve.91.042408. ISSN  1539-3755.
[21] Вишек, Тамас; Отбасы, Феридун (1984-05-07). «Кластерлерді біріктіру үшін динамикалық масштабтау». Физикалық шолу хаттары. Американдық физикалық қоғам (APS). 52 (19): 1669–1672. дои:10.1103 / physrevlett.52.1669. ISSN  0031-9007.
[22] Дубровский, Владимир Г .; Сибирев, Николай В. (2004-09-15). «Вертикалды наноқаптардың ерікті өлшемі мен өсу кинетикасының кристалды бетінің өсу жылдамдығы». Физикалық шолу E. Американдық физикалық қоғам (APS). 70 (3): 031604. дои:10.1103 / physreve.70.031604. ISSN  1539-3755.
[23] Дубровский, В.Г .; Греченков, Дж. (2014-12-02). «Зельдович ядролық жылдамдығы, өзіндік тұрақтылықты қалыпқа келтіру және Ау-катализденетін GaAs нановирлерінің кристалдық фазасы». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 15 (1): 340–347. дои:10.1021 / cg5014208. ISSN  1528-7483.
[24] Дубровский, В.Г .; Сю Т .; Ламберт, Ю .; Ныс, Дж.-П .; Грандье, Б .; Стивенард, Д .; Чен, В .; Парейдж, П. (2012-03-05). «Ге нановирлердің ұзындығының таралуы». Физикалық шолу хаттары. Американдық физикалық қоғам (APS). 108 (10): 105501. дои:10.1103 / physrevlett.108.105501. ISSN  0031-9007.
[25] Дубровский, В.Г. (2013-05-14). «Катализденетін нановирлердің өсуіндегі өздігінен реттелетін импульсті ядролау». Физикалық шолу B. Американдық физикалық қоғам (APS). 87 (19): 195426. дои:10.1103 / physrevb.87.195426. ISSN  1098-0121.
[26] Дубровский, В.Г. (2016-05-23). «Өлшемді үлестірудің кинетикалық тарылуы». Физикалық шолу B. Американдық физикалық қоғам (APS). 93 (17): 174203. дои:10.1103 / physrevb.93.174203. ISSN  2469-9950.
[27] Ф. Глас және В. Г. Дубровский, физ. Аян В, ұсынылған (2017).[толық дәйексөз қажет ]
[28] Глас, Фрэнк; Харманд, Жан-Кристоф; Патриарше, Джилз (2010-03-31). «Катализатор көмегімен жүретін нановирлік өсуде ядролық антибуншинг». Физикалық шолу хаттары. Американдық физикалық қоғам (APS). 104 (13): 135501. дои:10.1103 / physrevlett.104.135501. ISSN  0031-9007.
[29] Чжан, Сю; Дубровский, Владимир Г .; Сибирев, Николай В .; Рен, Сяомин (2011-12-07). «Тордың сәйкес келмейтін астарындағы наноқұрылымдардағы серпімді релаксация мен пластикалық деформацияны аналитикалық зерттеу». Кристалл өсу және дизайн. Американдық химиялық қоғам (ACS). 11 (12): 5441–5448. дои:10.1021 / cg201029x. ISSN  1528-7483.
[30] Нг, Кар Вей; Ко, Вай Сон; Тран, Тай-Труонг Д .; Чен, Роджер; Назаренко, Максим V .; Лу, Фанглу; Дубровский, Владимир Г .; Камп, Мартин; Форчел, Альфред; Чан-Хаснейн, Конни Дж. (2012-12-20). «III-V кремнийге монолитті интеграциялаудың дәстүрлі емес өсу механизмі». ACS Nano. Американдық химиялық қоғам (ACS). 7 (1): 100–107. дои:10.1021 / nn3028166. ISSN  1936-0851.

Кездесу және мүшелік

  • Жартылай өткізгіштік ғылым және технологиялар журнал, Редакция алқасының мүшесі (2017 жылдан бастап)
  • Наноматериалдар және нанотехнологиялар журналы, Редакция алқасының мүшесі (2016 жылдан бастап)
  • Техникалық физика хаттары, редакция алқасының мүшесі (2011 жылдан бастап)
  • Халықаралық нано-оптоэлектрондық семинар, Басқару комитетінің мүшесі (2010 жылдан бастап)
  • Nanowire апталығы,[4] Басқару комитетінің мүшесі (2011 жылдан бастап)
  • Euro MBE конференциясы, Халықаралық бағдарлама комитетінің мүшесі (2017 жылдан бастап)
  • «Наноқұрылымдар: физика және техника» халықаралық симпозиумы, Халықаралық бағдарлама комитетінің мүшесі (2008 жылдан)
  • Француз-орыс байланысты халықаралық зертханасы «Қосалқы жартылай өткізгіштердің наноқұрылымдары: өсуі, қасиеттері, құрылғылары», жауапты орыс ғалымы.
  • Ж. И.Алферов атындағы орыс-қытай бірлескен ақпараттық оптроэлектроника және наногероқұрылымдар зертханасы, директордың орынбасары (2010 жылдан).

Жарнамалық жазбалар

Дубровский жетекші техникалық журналдар мен конференцияларда 600-ден астам ғылыми мақалалардың авторы және авторы болды, оның ішінде WoS индексі бар 250-ден астам ғылыми жұмыс бар. Оның Хирш-индексі 40 (WoS) құрайды.

Құрмет

Әдебиеттер тізімі

  1. ^ «Дубровский Владимир Германович | Кафедры физики СПб АУ РАН».
  2. ^ «Параққа уақытша қол жетімсіз».
  3. ^ «Эпитаксиалды наноқұрылымдар физикасының халықаралық ғылыми-зерттеу зертханасы».
  4. ^ «2017 жылғы 29 мамыр - 2 маусым - Лунд, Швеция | Nanowire Week».